顕微鏡 第44巻▶第3号 2009
■最近の研究と技術

TEM-EELSを用いたLSIの局所誘電関数の評価

阿南義弘a,高口雅成a,朝山匡一郎b,木本浩司c,松井良夫c

a株式会社日立製作所中央研究所
b株式会社ルネサステクノロジ
c独立行政法人物質・材料研究機構

要旨:LSIの配線層間膜には低誘電率膜が用いられてきているが,プロセス加工時のダメージにより層間膜の誘電率が上昇するという課題があった.このため,デバイス中の局所領域での誘電率をナノメートルオーダーの空間分解能で評価する技術が求められている.局所領域の誘電特性の評価技術として,電子顕微鏡を用いた電子エネルギー損失分光法が(TEM-EELS)知られている.従来,屈折率が既知の材料では誘電関数の測定が可能であったが,未知物質には適用できなかった.本報では,未知物質に対応するための計測法の検討および本手法をダメージのあるLow-k材に適用した結果について報告する.

キーワード:透過電子顕微鏡,電子エネルギー損失分光法,誘電関数,低誘電率膜

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