低誘電率材料の価電子EELSを用いた誘電率測定

大塚祐二^ａ，川崎直彦^ａ，迫秀樹^ａ，小川真一^ｂ

^ａ東レリサーチセンター形態科学研究部
^ｂ産業技術総合研究所

要旨：超集積（ULSI）電子デバイス中の低誘電率（low-k）膜の配線加工プロセス中に生じた局所ダメージ構造について，価電子エネルギー損失分光法（Valence Electron Energy Loss Spectroscopy, VEELS）を用いた誘電率測定を実施した．加速電圧80 kVにおける測定により，チェレンコフ放射による低エネルギー損失領域のスペクトル変調を抑制し，薄膜厚さ制御によるエネルギー損失関数の正確な導出の結果，配線側壁付近約10 nm領域での，加工プロセスダメージに起因すると思われる誘電率上昇を検出することができた．

キーワード：価電子エネルギー損失分光法，VEELS，低誘電率膜，クラマース―クローニッヒ解析，KKA

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