顕微鏡 第51巻▶第2号 2016
■講座

電子線ホログラフィーを用いた半導体内部ポテンシャル分布計測

五十嵐信行

名古屋大学 未来材料・システム研究所

要旨:TEMを用いた電子線ホログラフィー(EH)により,半導体デバイス内部のポテンシャル分布を,ナノスケール分解能で可視化することが可能である.さらに,このEHポテンシャル分布観察は,TEMによる結晶欠陥分布評価と組みあわせる事により,デバイスのリーク特性の物理分析に応用可能である.また,ポテンシャル分布の電圧応答を計測することにより,デバイスの動作を直接的に評価する物理計測が可能になる.本稿では,このようなEHポテンシャル解析を応用した,微細デバイスの特性や動作の解析について紹介する.

キーワード:電子線ホログラフィー,静電ポテンシャル解析,オペランド解析,半導体デバイス,pn接合