原子空孔分布分析のための陽電子プローブマイクロアナライザーの開発
独立行政法人産業技術総合研究所 計測フロンティア研究部門
要旨：産業技術総合研究所では，電子加速器を用いて発生した高強度低速陽電子ビームを短パルス化し，ビーム径を10 mmから30 mm程度に収束して，材料表面近傍の局所的な陽電子寿命を計測する装置“陽電子プローブマイクロアナライザー（PPMA）”を開発した．PPMAは，陽電子の材料への入射位置を3次元的に制御し陽電子寿命マップを得て，原子サイズ欠陥の3次元分布を視覚的に評価することが可能である．
キーワード：陽電子プローブマイクロアナライザー，走査型陽電子顕微鏡，低速陽電子，陽電子寿命法，原子空孔