電子線ホログラフィーを用いた半導体内部ポテンシャル分布計測

五十嵐信行

名古屋大学　未来材料・システム研究所

要旨：TEMを用いた電子線ホログラフィー（EH）により，半導体デバイス内部のポテンシャル分布を，ナノスケール分解能で可視化することが可能である．さらに，このEHポテンシャル分布観察は，TEMによる結晶欠陥分布評価と組みあわせる事により，デバイスのリーク特性の物理分析に応用可能である．また，ポテンシャル分布の電圧応答を計測することにより，デバイスの動作を直接的に評価する物理計測が可能になる．本稿では，このようなEHポテンシャル解析を応用した，微細デバイスの特性や動作の解析について紹介する．

キーワード：電子線ホログラフィー，静電ポテンシャル解析，オペランド解析，半導体デバイス，pn接合