入射電子の試料内振る舞い（シミュレーション）からみたSEM画像

石谷亨

^a（株）日立ハイテクノロジーズ　研究開発本部

要旨：SEM像観察において，二次電子（SE）および後方散乱電子（BSE）は試料表面の凹凸および元素の情報をもたらす．ここでは，SEおよびBSE信号の特質についてシミュレーションによる入射電子の試料内振る舞いの観点から概説する．低エネルギー（数100eV以下）電子照射では，入射電子の直進性が弱く，その振る舞い領域の大部分がSE脱出最大深さ（約10nm）の表面層内に収まるようになる．その結果，SE/BSE像は試料最表面層により敏感となり，また低エネルギーBSEの特質は高エネルギーSEに近くなる．SE/BSE像取得条件の調整は，試料における所望の情報を明瞭に得るために重要である．

キーワード：走査電子顕微鏡，二次電子，後方散乱電子

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