1nm高分解能走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）とLSIデバイス解析への応用
a（株）東芝研究開発センター
要旨：近年，微細化によりLSIデバイスのサイズがナノスケールに突入し，プロセス制御の困難さが増し，高精度，高分解能，高次元分析技術への要求が高まっている．その中でも最も重要なテーマの一つは電荷キャリア濃度分布の2次元計測技術である．その代表的な計測技術として走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）が注目されている．SSRMは，導電性原子間力顕微鏡（C-AFM）アプリケーションの一つであり，デバイス断面に導電性プローブを当てて内部抵抗を精査する手法で，短時間で電荷キャリアの分布を2次元的に解析できる．本稿では，SSRM技術を用いたキャリア分布評価において，導電性プローブと試料間の接触抵抗低減による分解能向上や，断面試料作製プロセス，3次元デバイスシミュレーションにより1nm高分解能検証及び，45nm以降世代の実デバイス解析への応用例を紹介する．
キーワード：走査型広がり抵抗顕微鏡，SSRM，2Dキャリアプロファイリング，真空，高分解能