低角入射放射光回折顕微鏡法による4H-SiCパワーデバイス中の格子欠陥の観察

松畑洋文^a，山口博隆^a，大野俊之^b

^a産業技術総合研究所
^b日立製作所中央研究所

要旨：4H-SiCパワーデバイスの歩留まりと信頼性向上を目的として，パワーデバイスの内部構造を観察する手法を開発した．低角入射斜入射放射光回折顕微鏡法と名付けた本手法は，ウエハー内部に多量に存在している格子欠陥のコントラストに邪魔されることなく，ウエハー表面のエピ膜や，パワーデバイスの内部構造を観察する手段として適していることがわかった．本手法は4H-SiCパワーデバイスの開発に有効に利用されている．一方で，本手法では転位は特徴的なコントラストを示すことが分かって来た．本報告ではそれらのコントラストに関するルールを整理し，その原因について動力学回折理論を用いて考察した．

キーワード：4H-SiC，パワーデバイス，低角入射，放射光トポグラフィー，転位

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