TEM-EELSを用いたLSIの局所誘電関数の評価

阿南義弘^a，高口雅成^a，朝山匡一郎^b，木本浩司^c，松井良夫^c

^a株式会社日立製作所中央研究所
^b株式会社ルネサステクノロジ
^c独立行政法人物質・材料研究機構

要旨：LSIの配線層間膜には低誘電率膜が用いられてきているが，プロセス加工時のダメージにより層間膜の誘電率が上昇するという課題があった．このため，デバイス中の局所領域での誘電率をナノメートルオーダーの空間分解能で評価する技術が求められている．局所領域の誘電特性の評価技術として，電子顕微鏡を用いた電子エネルギー損失分光法が（TEM-EELS）知られている．従来，屈折率が既知の材料では誘電関数の測定が可能であったが，未知物質には適用できなかった．本報では，未知物質に対応するための計測法の検討および本手法をダメージのあるLow-k材に適用した結果について報告する．

キーワード：透過電子顕微鏡，電子エネルギー損失分光法，誘電関数，低誘電率膜

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