FIBを用いたTEM試料作製技術

佐々木宏和^ａ，加藤丈晴^ｂ，松田竹善^ａ，平山司^ｂ

^ａ古河電工（株）横浜研究所
^ｂ（財）ファインセラミックスセンターナノ構造研究所

要旨：FIBは特定領域の加工ができることから，TEM試料作製において必要不可欠となっている．しかしながら，GaイオンビームによってTEM試料の表面にダメージ層が形成されるため，FIBのみでは高品質のTEM試料作製ができない．本稿では，FIBの後処理としてArイオンミリングを応用する方法を紹介し，その効果について示す．応用事例として，化合物半導体，セラミックス材料の高分解能像，電子線ホログラフィーによる半導体観察を示す．また，近年のFIBの展開について紹介する．

キーワード：FIB，化合物半導体，セラミックス，高分解能像，電子線ホログラフィー

≫本文PDF