次世代集束イオンビーム技術に供する高輝度電界電離型希ガスイオン源の開発
三重大学大学院・工学研究科
要旨：集束イオンビーム（FIB）技術は，今日のナノテクノロジーを支える要素技術となっている．その一方で，微細加工寸法の縮小化に伴い，Gaイオンによる試料汚染やイオンのエネルギー拡がりに起因して集束特性が制約される問題が顕在化しており，次世代FIBには液体金属イオン源に替わり，電界電離型希ガスイオン源（GFIS）の搭載が求められている．本稿では，GFISのイオンエミッターの開発状況について紹介する．
キーワード：電界電離型イオン源，集束イオンビーム，電界誘起ガスエッチング，タングステン，アルゴン