表紙説明：窒化反応によってグラフェン0 the層／SiC基板界面に形成される新規Si-N原子層界面構造のモデル図（上段）．この周期構造決定に用いたCs補正HRTEM像：中段：アンダー（–15 nm），下段：オーバー（+10 nm）フォーカスで撮影．白枠内は対応するシミュレーション像を示す．p. 64参照．