AFMによる静電気力測定に基づく半導体におけるドーパント分布評価
a京都大学産官学連携センター
要旨：原子間力顕微鏡（AFM）を用いることで，半導体表面の構造観察だけでなく，さまざまな電気特性計測が可能である．導電性カンチレバー探針を試料に接触させて静電容量や抵抗を測定する手法は広く知られているが，ダイナミックモードAFMを用いて静電気力を測定することでも，表面電位や静電容量などの電気特性計測が可能であり，最近になって原子分解能の表面電位観察例も報告され始めている．本稿では，ダイナミックモードAFMによる静電気力検出に基づく半導体デバイスの評価手法について原理を紹介するとともに，最近の動向およびドーパント分布評価の事例を紹介する．
キーワード：半導体デバイス，静電気力，ダイナミックモードAFM，ケルビンプローブ力顕微鏡，走査型容量原子間力顕微鏡