顕微鏡 第46巻▶第3号 2011
■最近の研究と技術

次世代集束イオンビーム技術に供する高輝度電界電離型希ガスイオン源の開発

畑浩一

三重大学大学院・工学研究科

要旨:集束イオンビーム(FIB)技術は,今日のナノテクノロジーを支える要素技術となっている.その一方で,微細加工寸法の縮小化に伴い,Gaイオンによる試料汚染やイオンのエネルギー拡がりに起因して集束特性が制約される問題が顕在化しており,次世代FIBには液体金属イオン源に替わり,電界電離型希ガスイオン源(GFIS)の搭載が求められている.本稿では,GFISのイオンエミッターの開発状況について紹介する.

キーワード:電界電離型イオン源,集束イオンビーム,電界誘起ガスエッチング,タングステン,アルゴン

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