顕微鏡 第44巻▶第3号 2009
■特集:SPMによる半導体表面分析の最近の展開

1nm高分解能走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)とLSIデバイス解析への応用

張利

a(株)東芝研究開発センター

要旨:近年,微細化によりLSIデバイスのサイズがナノスケールに突入し,プロセス制御の困難さが増し,高精度,高分解能,高次元分析技術への要求が高まっている.その中でも最も重要なテーマの一つは電荷キャリア濃度分布の2次元計測技術である.その代表的な計測技術として走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)が注目されている.SSRMは,導電性原子間力顕微鏡(C-AFM)アプリケーションの一つであり,デバイス断面に導電性プローブを当てて内部抵抗を精査する手法で,短時間で電荷キャリアの分布を2次元的に解析できる.本稿では,SSRM技術を用いたキャリア分布評価において,導電性プローブと試料間の接触抵抗低減による分解能向上や,断面試料作製プロセス,3次元デバイスシミュレーションにより1nm高分解能検証及び,45nm以降世代の実デバイス解析への応用例を紹介する.

キーワード:走査型広がり抵抗顕微鏡,SSRM,2Dキャリアプロファイリング,真空,高分解能

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