顕微鏡 第44巻▶第3号 2009
■特集:SPMによる半導体表面分析の最近の展開

SEM式ナノプロービングシステムの開発と半導体デバイス解析への応用

三井泰裕

a(株)日立ハイテクノロジーズ

要旨:近年のLSI故障解析ではデバイスの微細化,構造の複雑化に伴い,詳細な故障箇所同定が困難となっている.これに対応するための技術として走査電子顕微鏡(SEM)を用いたナノプロービングシステムが開発された.SEM式ナノプロービングシステムではSEMで観察しながら,トランジスタや配線に微細探針を接触させ,電気特性を計測する.本稿ではSEM式ナノプロービングシステムの実用化に対する開発課題(微細箇所へのプロービング可能な探針形状,高精度,高信頼測定のためのプローブ―試料間接触抵抗低減,探針長寿命化,高スループット化の為の高精度迅速プローブ動作制御,迅速プローブ交換,使いやすさのためのSEMの高画質化,広視野化など)および実際の解析事例について概説する.

キーワード:ナノプロービングシステム,SEM,故障解析,LSI

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